南亚科技请求半导体结构及其制作办法专利改进电容器结构的电阻问题

  金融界2025年8月20日音讯，国家知识产权局信息数据显现，南亚科技股份有限公司请求一项名为“半导体结构及其制作办法”的专利，公开号CN120512885A，请求日期为2024年04月。

  专利摘要显现，本发明的施行例供给一种半导体结构，包含基板、坐落基板上的下电极层、坐落下电极层上的榜首介电层、坐落榜首介电层上的第二介电层及坐落榜首介电层和第二介电层中的多个电容器。电容器结构包含坐落电容器结构的上部中的密封层、设置于下电极层上方且盘绕密封层的侧壁及底外表的榜首导电层、设置于下电极层上方且盘绕榜首导电层的侧壁及底外表的顶部电容板、设置于下电极层上方且盘绕顶部电容板的侧壁及底外表的氧化物层及设置于下电极层上且盘绕氧化物层的侧壁及底外表的底部电容板。此外，本发明也揭穿一种半导体结构的制作办法。